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集微网消息，国家知识产权局消息显示，中芯国际“MEMS器件及其制造方法”专利获授权。

据悉，该专利的专利权人为中芯国际集成电路制造（上海）有限公司以及中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，授权公告日为5月9日，授权公告号为CN111170268B。

图片来源：国知局

专利摘要显示，本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，MEMS器件包括：支撑区和振动区的第一电极板，且振动区的第一电极板内具有位于支撑区的第一电极板上的牺牲层，且第一电极板的材料致密度大于所述牺牲层材料的致密度；第二电极板，第二电极板包括贯穿所述牺牲层的连接部、位于所述支撑区上方的牺牲层上的支撑部以及位于所述振动区上方的振动部，所述支撑部与所述连接部以及第一电极板相连，所述连接部与所述第一电极板之间电绝缘，且所述第一电极板、振动部、支撑部以及连接部围成空腔。

本发明通过设置第二电极板底部与第一电极板相连的特殊结构，避免第二电极板内部应力变化的问题，从而改善MEMS器件的可靠性。（校对/项睿）